10 mai 2014
Synchrotron: haute-résolution spatiale et temporelle de l'émission de lumière de nanofils de semiconducteurs
Contact : Joël Eymery

Puits quantiques InGaN/GaN non polaires crûs sur les facettes de fils de GaN d'axe c.
Les faisceaux de rayons-X synchrotron de l'ESRF permettent dorénavant d'étudier l'émission de
lumière de ces fils avec une haute résolution temporelle et spatiale.

Le dévelopement de nouvelles instrumentations synchrotron pour la fluorescence, la diffraction et la photoluminescence permet d'étudier des nano-objets avec de hautes résolutions spatiales (sub-100 nm) et temporelles (sub-50 ps) et ainsi de relier les aspects structuraux/chimiques à l'émission de lumière lorsque celle ci peut être générée par des rayons-X durs.

Une collaboration entre l'INAC, l'ESRF et l'Institut de Microélectronique de Madrid a démontré l'intérêt de ces nouvelles techniques, entre-autres, pour étudier le cas de puits quantiques coeur-coquille InGaN/GaN autour de fils de GaN utilisés dans des diodes électro-luminescentes. L'absorption de rayons-X de haute énergie génère une émission de lumière bleue qui peut être corrélée à la composition en indium dans les puits ainsi qu'à la position au centre ou au bord des facettes. La mesure résolue en temps de la décroissance du temps de déclin de l'émission de lumière bleue (environ 0.1 ns) induite par le flash de rayons X confirme l'efficacité du mécanisme radiatif de ces puits qui ne présentent pas de champ piezoélectrique grâce à leur orientation cristallographique.

Plus de détails dans Advanced Materials doi: 10.1002/adma.201304345
 

 

Maj : 30/06/2014 (1041)

 

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