04 novembre 2014
En spintronique, les matériaux antiferromagnétiques sont acteurs à part entière
Contact : Vincent Baltz

En électronique de spin, les propriétés de transport électronique dépendant du spin des matériaux ferromagnétiques (Fs) sont au cœur du fonctionnement des dispositifs. Les matériaux antiferromagnétiques (AFs) eux ne sont utilisés que pour leurs propriétés magnétiques. Le transport dépendant du spin des AFs bien que dans sa phase infantile est identifié par les revues les plus récentes comme l’un des sujets exploratoires notoires. Les longueurs de pénétration de spins dans les AFs seraient plus grandes que dans les Fs. Ceci ajouté au fait que les AFs ne rayonnent pas de champ magnétique permettrait de diminuer la consommation énergétique des dispositifs et d’atteindre des dimensions ultimes.

 

Le but de cette étude était de déterminer la longueur caractéristique sur laquelle le spin peut pénétrer dans un matériau antiferromagnétique, ainsi que les mécanismes d’absorption de spin. Il s’agit de données clefs à connaître pour quiconque voudrait utiliser les AFs en électronique de spin. Etant donné que les AFs ne possèdent pas d’aimantation, les méthodes traditionnelles utilisées pour les Fs sont mises à mal. L’utilisation d’une méthode complexe qui met en œuvre des processus de résonance F et de ‘pompage de spin’ par un AF adjacent nous ont permis d’arriver à nos fins, notamment pour les AFs métallique usuels : IrMn et FeMn. L’étude des effets d’interfaces et de qualité cristalline des couches minces AFs sur la pénétration de spin compte parmi les nombreuses perspectives.

 

Ce travail est le fruit d’une collaboration entre le laboratoire SPINTEC et le Dr W. E. Bailey de l’Université Columbia de New York.

 

P. Merodio et al, ‘Penetration depth and absorption mechanisms of spin currents in Ir20Mn80 and Fe50Mn50 polycrystalline films by ferromagnetic resonance and spin pumping, Appl. Phys. Lett. 104, 032406 (2014).

 

Maj : 05/11/2014 (1076)

 

Retour en haut