24 février 2015
Auto-organisation dans une couche mince sol-gel

Pores dans une couche mince semiconductrice (gauche), nanoclusters riches en zinc (centre), nanoclusters riches en gallium (droite) observés par microscopie (rangée du haut) et diffusion centrale des rayons X (rangée du bas).

Des nanoclusters auto-organisés dans une couche mince élaborée par sol-gel, c’est possible ! L’organisation des nanoclusters est liée de près à l’arrangement des pores dans les films recuits. Cette découverte de scientifiques de l’INAC/SP2M, du LITEN et de l’Université Grenoble Alpes élargit encore le spectre d’applications de couches minces élaborées par sol-gel.

 

In-Ga-Zn-O est un  semiconducteur transparent dans le visible, ayant un rôle critique dans la fabrication de nombreux dispositifs actuels et émergents en optoélectronique. Des scientifiques ont montré, pour la première fois, que des nanoclusters auto-organisés pouvaient être obtenus dans des couches minces d’In-Ga-Zn-O élaborées par sol-gel. Les techniques de microscopie et de diffusion centrale des rayons X en incidence rasante (GISAXS) révèlent la création spontanée de mésopores ainsi que la formation de clusters de taille nanométrique.

 

Ces résultats sur les nanoclusters auto-organisés pourraient être d’excellents modèles pour de nouvelles études fondamentales de nanoclusters dans des matrices mésoporeuses. Cette approche pourrait être utilisée, par exemple, en électronique, magnétisme et thermoélectricité.

 

L’ expérience GISAXS a été réalisée sur la ligne CRG/D2AM à l’ESRF à Grenoble.

 

C. Revenant, M. Benwadih, and M. Maret, « Self-organized nanoclusters in solution-processed mesoporous In-Ga-Zn-O thin films », Chem. Commun., 2015, 51 (7), 1218.

 

Maj : 24/02/2015 (1094)

 

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