20 novembre 2009
Piégeage/dépiégeage d’une paroi magnétique sur un défaut
Jean-Philippe Attané

Nanostructure magnétique lithographiée à la PTA imagée par microscopie à force magnétique (MFM) ; en sombre les domaines « up », en clair les domaines « down ».

Dans une couche mince magnétique à aimantation perpendiculaire (mise en œuvre dans les Mram par exemple), le retournement d’aimantation dépend du déplacement des parois magnétiques séparant les différents domaines d’aimantation. Mais lors de son déplacement, une paroi peut être piégée temporairement par des défauts du composant. Un courant polarisé en spin dépiège la paroi. Comment fonctionne cet effet très prometteur pour la spintronique en général ? Des chercheurs du SP2M et de Spintec ont mené une étude très détaillée en collaboration avec l’Institut d'Electronique Fondamentale à Orsay. Sur des pistes magnétiques de 200 nm lithographiées à la Plateforme de technologie amont (PTA), ils ont mesuré la statistique des temps de dépiégeage de parois sur des défauts géométriques (dans le CoNi) ou structuraux (dans le FePt) sous l'effet du courant électrique dans la piste. Les résultats ont été modélisés et montrent clairement que le dépiégeage est provoqué par un transfert de spin, car l'effet dépend du sens du courant, et non par l'échauffement, qui lui ne dépend pas du sens.

 

http://dx.doi.org/10.1038/nphys1436

Maj : 30/08/2010 (601)

 

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