16 février 2009
Un dispositif à nanofil multifonctionnel
Silvano de Franceschi

Nanofil de silicium en contact avec des électrodes source et drain en nickel. GS et GD sont des grilles électrostatiques qui permettent de modifier le comportement du dispositif : transistor ou diode.

A partir d'un nanofil de silicium unique, des chercheurs du SPSMS/LaTEQS ont réalisé le premier prototype d'un dispositif multifonctionnel qui peut être utilisé comme transistor à effet de champ, diode Schottky ou diode p n. Le nanofil, fabriqué par SP2M/SiNaPS est fin (Ø 40 nm) et non dopé. Il est déposé sur un substrat contenant deux électrodes de grille en aluminium, puis deux électrodes (source et drain) en nickel sont fabriquées aux extrémités du fil. Par recuit à 500°C, le nickel diffuse et fait croître dans le fil une zone métallique de siliciure de nickel. La diffusion est arrêtée lorsque les interfaces silicium/siliciure sont à l’aplomb des grilles. C’est la clé du fonctionnement versatile de ce dispositif : selon les polarisations des deux grilles, les barrières Schottky aux interfaces métal/semi-conducteur sont abaissées ou relevées et le système se comporte comme un transistor ou une diode.

 

http://inac.cea.fr/Phocea/file.php?file=Feuille_ro ...

Maj : 08/09/2010 (621)

 

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