16 janvier 2009
Démonstration de l’écriture de MRAM par courant polarisé assistée thermiquement
Ricardo Sousa

Trajectoire de précession de l’aimantation de la couche de stockage induite par le transfert de spin.

Le développement des mémoires magnétiques MRAM s’oriente aujourd’hui vers un procédé d’écriture par courant électrique sans champ magnétique appliqué. Gros avantage de cette technique : la consommation électrique diminue avec la réduction de la taille de la cellule mémoire (« scalabilité »). Spintec et le Léti ont démontré pour la première fois qu’il est possible d’écrire une couche de stockage « piégée » en combinant les effets du courant polarisé en spin et de l’assistance thermique. Le courant qui traverse la cellule chauffe la couche de stockage, initialement piégée, au-delà de sa température de blocage. De ce fait, la couche n’est plus bloquée et l’injection de courant polarisé en spin exerce un couple qui retourne la direction de l’aimantation. La nouvelle direction d’aimantation est alors «piégée» quand la température redescend sous la température de blocage à l’arrêt du courant. Cette méthode ouvre en outre, la possibilité de réaliser des cellules avec un courant critique d’écriture faible avec la stabilité nécessaire à la rétention de l’information pendant 10 ans.

 

http://dx.doi.org/10.1063/1.3158231

Maj : 08/09/2010 (625)

 

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