16 janvier 2009
Injection de spin dans le silicium
Matthieu Jamet

Structure schématique de la diode électroluminescente à base de SiGe, avec une électrode supérieure de Co/Pt ferromagnétique.

Régnant sans partage sur l’électronique traditionnelle, le silicium est pour l’instant quasiment absent de la spintronique. Avec Spintec et le Léti, des chercheurs du SP2M ont réussi l’injection de spin dans le silicium, et cela sans champ magnétique appliqué. Le dispositif contient une électrode magnétique de CoPt à aimantation perpendiculaire, une barrière tunnel d’alumine et un puits quantique de SiGe dans la couche de silicium. Le CoPt fournit des électrons polarisés perpendiculairement, ce qui dispense de l’électroaimant. Ces électrons se recombinent avec les trous venant du substrat dans le puits quantique de SiGe, qui est beaucoup plus efficace que Si pour la recombinaison radiative. En mesurant la polarisation circulaire de l’émission on obtient le taux de polarisation des porteurs dans le semi-conducteur.

 

http://dx.doi.org/10.1063/1.3064135

Maj : 08/09/2010 (628)

 

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