16 décembre 2007
Transport électronique local dans un monocristal organique en configuration transistor
Benjamin Grévin

Des chercheurs du SPrAM ont réussi à fabriquer un monocristal ultrafin de rubrène puis à mesurer, en collaboration avec le SPSMS, les propriétés de transport électronique des porteurs « enterrés » par une technique de spectroscopie de champ proche. C’est la première fois que sont mesurés la mobilité et le profil de potentiel dans un semi-conducteur organique sans défaut structural et dopé électrostatiquement en configuration transistor. La technique potentiométrique, dite sonde de Kelvin, implantée sur le microscope à force atomique, cartographie le potentiel créé par les charges électriques à l’interface entre le monocristal organique et l’isolant de grille, soit 100 nm sous la surface balayée par la pointe de l’AFM ! L’étude montre d’une part que ce transistor organique a de très bonnes performances, et d’autre part qu’un des axes de progrès réside dans le process de fabrication via l’amélioration de la propreté des interfaces.

 

Maj : 30/08/2010 (661)

 

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