16 septembre 2007
Le GaN assure le grand bleu
Joël Eymery

Du tout nouveau bâti de MOCVD nitrure installé au SP2M/NPSC vient de sortir la première diode électroluminescente émettant un bleu intense. La couche émettrice est constituée de puits quantiques de InGaN dans GaN. Elle est au cœur d’un empilement de couches de GaN, soit non dopé, soit dopé n ou p, sur un substrat de saphir. Le dispositif lui-même – le process de la plaquette 2’’ et la prise de contacts électriques – a été réalisé par le LETI/DOPT. La croissance 2D d’AlN, InN et GaN, dopés ou non, est aujourd’hui bien maîtrisée sur notre bâti ; dans le cadre du programme DRFMC-DOPT « Carnot éclairage », nous nous intéressons à la croissance 1D de nanofils, avec en vue la réalisation de fils hétérostructurés radialement ou longitudinalement.

 

Maj : 25/08/2010 (667)

 

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