16 septembre 2007
Le MEIS traque l’hafnium baladeur
Denis Jalabert

Les empilements d’oxydes à haute constante diélectrique utilisés comme isolant de grille dans des transistors CMOS subissent des traitements thermiques qui altèrent leurs propriétés. Une analyse quantitative de la diffusion atomique lors du recuit à 1050 °C d’un multicouche ZrO2(2,5 nm)/HfO2(1,3 nm)/SiO2(1,2 nm) a été réalisée sur la machine MEIS (Medium Energy Ion Scattering) de la plateforme de nanocaractérisation DRFMC-LETI-LITEN. Elle montre que 16% des atomes d’hafnium diffusent dans la couche supérieure de zircone, et donne également leur profil de concentration avec une résolution de 0,25 nm. Avant le traitement thermique, l’interface était chimiquement abrupte. Une information de cette précision n’est pas accessible par les techniques plus classiques de « profilométrie chimique », RBS ou SIMS. Seules 6 machines de ce type sont installées dans le monde.

 

Maj : 25/08/2010 (668)

 

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