16 mars 2007
Les défauts cachés du silicium
Thierry Deutsch

L’équipe de simulation atomistique du SP2M avait prédit théoriquement en 2001 l’existence d’un nouveau défaut ponctuel dans le silicium, dont l’énergie était plus faible que celle des défauts connus (lacunes, interstitiels). En étudiant la dégradation des détecteurs Si du LHC au CERN, des chercheurs de Bucarest ont montré en 2006 que la prise en compte de ce défaut expliquait très bien la cinétique de dégradation, quatre fois trop rapide pour être due aux mécanismes « habituels ». Ce défaut est baptisé FFCD (fourfold coordinated defect) car les atomes en position de défaut conservent leur coordination 4.

 

Maj : 30/08/2010 (684)

 

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