16 janvier 2007
Résistance de nanofils de silicium dopé
Xavier Jehl

Une équipe du SPSMS a réalisé les premières mesures de résistance électrique sur des nanofils isolés de silicium dopé au bore, obtenus par croissance. Les nanofils ont été réalisés au LETI/DOPT et le dopage puis les mesures au DRFMC/SPSMS. Deux contacts ont été déposés sur le nanofil par lithographie électronique puis optique. Les mesures en fonction de la température sur deux échantillons distincts ont bien mis en évidence la contribution de la résistance de contact. La prochaine étape, une mesure en quatre contacts, pourra se faire grâce au masqueur électronique qui équipera mi-2007 la Plateforme Technologique Amont.

 

Maj : 25/08/2010 (691)

 

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