16 novembre 2006
Le silicium supraconducteur à pression ambiante.
Christophe Marcenat

Fruit d’une collaboration entre le CNRS, le DRFMC/SPSMS, les universités de Lyon, d’Orsay et de Košice (Slovaquie), une méthode originale de dopage a conduit à la première observation de la supraconductivité à pression atmosphérique dans le silicium dopé au bore. Pour augmenter considérablement le taux de dopage (7 fois sa valeur à l’équilibre), il a fallu fondre une couche mince de Si, grâce à un pulse laser, en présence de BCl3 gazeux ; les atomes de bore sont poussés par l’impulsion laser puis figés dans le Si pendant la recristallisation. La température critique vaut 0,35 K.

 

Maj : 25/08/2010 (694)

 

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