17 juillet 2013
Des cellules mémoires inviolables !

Spintec et Crocus Technology ont dévoilé les premiers résultats d’un démonstrateur de mémoire magnétique dotée d’une fonction logique. Protégée par un brevet, cette  association est particulièrement intéressante car elle permet de garantir la sécurité de données confidentielles, grâce à l’authentification in situ d’un utilisateur de carte bancaire par exemple.

Spintec (Inac) et Crocus Technology développent ensemble des mémoires à base de jonctions tunnel magnétiques. Ces dernières comprennent deux couches magnétiques séparées par une fine couche d’oxyde formant une barrière tunnel. L’information est stockée via la direction de l’aimantation d’une des couches magnétiques, dite de stockage, l’autre couche servant de référence. La lecture consiste à mesurer la résistance électrique de la jonction qui varie fortement selon l’orientation relative des aimantations des couches de stockage et de référence. Dans une MRAM, l’aimantation de la couche de référence est figée dans une direction.

 

 

L’innovation consiste ici à utiliser une couche de référence dont l’aimantation peut être commutée avec un faible champ magnétique. Ceci permet d’effectuer une lecture différentielle de l’information écrite en chaque « point mémoire », en comparant la résistance pour les deux orientations possibles de l’aimantation de la couche de référence. Cette lecture « auto-référencée » conduit à une meilleure tolérance aux variations locales de résistance liées aux imperfections du procédé de fabrication.

Ce mode de lecture permet aussi d’introduire une fonction logique de comparaison dans la mémoire pour traiter des données confidentielles. Ainsi par exemple, le code secret d’une carte bancaire peut être enregistré dans la couche de stockage de telles mémoires. Quand l’utilisateur entre son code, celui-ci s’inscrit dans la couche de référence. Si les deux codes coïncident, la jonction tunnel  commute dans son état de basse résistance et sinon, dans celui de forte résistance. La comparaison se produit directement à l’intérieur du dispositif sans qu’il soit nécessaire de transférer le code secret hors de la mémoire vers un comparateur. Cette configuration innovante rend ce type de mémoires quasiment inviolables.

 

Ref.: MRAM with soft reference layer: In-stack combination of memory and logic functions
Q. Stainer, L. Lombard, K. Mackay,  R. C. Sousa, I. L. Prejbeanu, B. Dieny

5th IEEE International Memory Workshop (IMW), Monterey, CA, 26-29 May 2013

 

 

Maj : 01/06/2016 (822)

 

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