09 octobre 2013
Impact des barrières à la diffusion sur la dispersion des propriétés magnétiques des dispositifs en spintronique
Contact : Vincent Baltz

Un grand nombre d’applications de l’électronique de spin utilisent une brique de base ferromagnétique(F)/antiferromagnétique(AF) dont le but est de définir une direction de référence pour le spin des électrons. Cette référence permet par la suite de comparer les états binaires ‘0’ et ‘1’, par exemple dans le cadre d’applications type mémoires. Les diffusions d’espèces à l’interface F/AF contribuent à la dispersion des propriétés magnétiques d’un point mémoire à un autre ce qui engendre dans une certaine mesure le disfonctionnement de certains points mémoires et par là même de tout le dispositif. Par le biais d’une nouvelle méthode que nous avons mis au point, facile à implémenter en laboratoire et qui permet de déterminer la qualité magnétique de l’interface -donnée usuellement obtenue à l’aide de grands instruments type synchrotrons- nous avons évalué l’influence de l’ajout de barrières doubles à la diffusion d’espèces. Notre étude montre que les bénéfices liés à l’ajout de barrières de diffusion entre le F et l’AF peuvent surpasser les inconvénients dus à l’éloignement du F et de l’AF ce qui valide l’impact globalement positif de l’ajout de barrières à la diffusion pour le cas particulier de dispositifs d’électronique de spin nécessitant la brique fonctionnelle F/AF.

 

Benefit of inserting a (Cu/Pt) intermixing dual barrier for the blocking temperature distribution of exchange biased Co/(Cu/Pt)/IrMn stacks

 

Ce travail est fait dans le cadre de l'accord bilatéral SPINTEC-CROCUS Technology.

 

Maj : 01/06/2016 (859)

 

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