05 juin 2018
Contact : Marc Sanquer
Research on silicon-based spin qubits is currently extensively pursued looking for a viable pathway towards large-scale integration.
25 avril 2018
Contact : Vincent Renard
Les déformations relatives dans un empilement de graphene modifient fortement leurs propriétés électroniques. Ce résultat ouvre la voie à une nouvelle ingénierie des propriétés des matériaux 2D par les déformations.
07 décembre 2017
Contact : Marc Sanquer
Coordinateur du projet SISPIN, pour ‘Silicon Platform for Quantum Spintronics’, Marc Sanquer (INAC/PHELIQS) a reçu le Prix spécial du Jury lors de la remise des trophées de la 5ème édition des Étoiles de l’Europe, le 4 décembre 2017.
18 octobre 2017
Integration of charge sensors for the readout of semiconductor quantum bits (qubits) is required for a realistic realization of scalable quantum computer.
28 juin 2017
The development of sensitive and compact readout tools of quantum states is a central issue in the run to industrial scalability of semiconductor quantum bits (qubits).
02 février 2017
Moiré patterns are superlattice structures that appear when two crystals with a lattice mismatch or with a different orientation are superimposed. We have developed a universal classification of all possible periodic Moirés in order to determine their exact crystallographic structure.
30 novembre 2016
Leti, an institute of CEA Tech, along with Inac, a fundamental research division of CEA, and the University of Grenoble Alpes have achieved the first demonstration of a quantum-dot-based spin qubit using an industry-standard fabrication process.
05 juin 2015
Contact : Vincent Renard
La micro-électronique utilise la charge électrique de l’électron pour stocker et traiter l’information. La spintronique, quant à elle, exploite une propriété quantique intrinsèque de l’électron, le spin.
04 juin 2015
Le 3 juin 2015 s’est déroulée à Nancy la finale française  du concours Ma Thèse en 180 secondes.
27 avril 2015
Le 27 avril 2015 s’est déroulé à Grenoble la finale du concours Ma Thèse en 180 secondes du regroupement Université Grenoble Alpes.
03 février 2015
Contact : Marc Sanquer
Nanowire transistors in the sub10 nm range are subject to process variability. A main cause is the surface roughness of the nanowire. A single dopant centered in the channel can also modify the room temperature electrical characteristics of the transistor.
06 juin 2014
Atomically clean superconducting graphene has been grown on thin rhenium films. This breakthrough paves the way to new hybrid superconducting nanostructures.
09 octobre 2013
Contact : Xavier Jehl
Les pompes à électrons sont des dispositifs délivrant un courant quantifié relié à une fréquence f: I=Nef, où N est un entier et e la charge de l'électron.
13 juin 2013
Contact : Marc Sanquer
En 2026, l’industrie microélectronique aura épuisé les marges de progression autorisées par les technologies actuelles. Simon Deleonibus de la DRT et Marc Sanquer de la DSM ont entrepris d’unir leurs forces pour préparer cette échéance.
29 mai 2012
Contact : Marc Sanquer
Une équipe du SPSMS, en collaboration avec le SP2M et le Leti a fabriqué un dispositif qui permet une mesure précise et fiable des niveaux d'énergie des dopants dans des nanostructures de silicium, un challenge clé de la nanoélectronique.
20 décembre 2009
Xavier Jehl
Pourquoi les grandes conférences de microélectronique s’intéressent-elles tellement à la « variabilité ».
16 février 2009
Silvano de Franceschi
A partir d'un nanofil de silicium unique, des chercheurs du SPSMS/LaTEQS ont réalisé le premier prototype d'un dispositif multifonctionnel qui peut être utilisé comme transistor à effet de champ, diode Schottky ou diode p n.
 

 

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