22 août 2017
Jean-Pierre Nozières, Spintec researcher in magnetic devices, is one of the winners of the Innovation Medal of the CNRS “cuvee” 2017 at 54 years old. Since 2011, this distinction has been awarded for outstanding scientific research leading to a remarkable innovation, whether in ... Lire la suite »
21 juillet 2017
Contact : Matthieu Jamet
Le germanium apparaît comme un matériau très prometteur pour les applications en spintronique. Il est tout d’abord compatible avec la technologie silicium, le temps de vie du spin y est très long, y compris à température ambiante, et enfin, ses ... Lire la suite »
17 juillet 2017
Contact : Mair CHSHIEV
Advancing spintronic devices requires using novel 2D materials including graphene with featured properties. In particular, a significant effort has been focused on injecting spins and inducing magnetism in graphene giving rise to emerging field of graphene spintronics. It is demonstrated that ... Lire la suite »
23 mai 2017
  Nous avons développé un nouveau type de nanopinces ou « nanomâchoires » magnétiques déposées sur des plaques de silicium, par une approche top-down utilisant les techniques de la microélectronique.   La manipulation ... Lire la suite »
03 mai 2017
Contact : Gilles Gaudin
Nous avons développé un modèle analytique décrivant les ondes de spin dans des guides d’onde microscopiques en présence de l’interaction interfaciale Dzyaloshinskii-Moriya. En comparant les résultats de ce modèle avec ceux de simulations ... Lire la suite »
22 février 2017
Contact : Mathieu Jamet
Nous avons fabriqué à grande échelle et caractérisé le dichalcogénure (TMD) MoSe2, un matériau lamellaire et semi-conducteur ayant un fort potentiel pour les applications en électronique, vallée-tronique et opto-électronique. ... Lire la suite »
07 février 2017
Contact : Matthieu Jamet
Nous avons démontré l’inter conversion courant de spin –courant de charge par effet Rashba à l’interface entre deux matériaux « légers » : le fer et le germanium, matériau compatible avec la technologie CMOS ... Lire la suite »
05 janvier 2017
Contact : Bernard Dieny
Les techniques de cartographie de champs magnétiques font l’objet d’un développement continu car elles sont nécessaires à la mesure des composantes spatiales de champs magnétiques locaux, que ce soit en industrie ou en recherche fondamentale. Les ... Lire la suite »
25 octobre 2016
Contact : Bernard Dieny
L’écriture des mémoires magnétiques conventionnelles à base de jonctions tunnel magnétiques (STT-MRAM) est intrinsèquement stochastique : il faut attendre une fluctuation thermique importante pour déclencher la commutation ... Lire la suite »
06 octobre 2016
Contact : Olivier Klein
La magnonique est un nouvel axe de recherche visant à exploiter le transport purement du spin dans les matériaux magnétiques. Les excitations élémentaires s'appellent ondes de spins progressives en représentation ondulatoire ou magnons en ... Lire la suite »
27 septembre 2016
Contact : Laurent Vila
A l’interface entre le titanate de strontium et l’aluminate de lanthane se forme un système d’électrons bidimensionnel. En utilisant une technique d’injection de spin dynamique, nous avons pu démontrer un taux record de conversion du courant de spin en ... Lire la suite »
04 juillet 2016
Contact : Olivier Boulle
Ces textures magnétiques nanométriques ont été observées à températures ambiantedans des matériaux compatibles avec l’industrie électronique par O. Boulle et ses collègues de Spintec à Grenoble. Ces résultats ... Lire la suite »
01 mai 2016
Contact : Laurent Vila
Des structures latérales pour la spintronique ont été réalisées avec un alliage de CoFe comme matériau ferromagnétique, en remplacement de l’alliage NiFe  utilisé usuellement. L’utilisation de ce matériau permet d’obtenir des signaux un ordre de grandeur plus élevés. La ... Lire la suite »
23 mars 2016
Contact : Vincent Baltz
Un ordre magnétique fluctuant autorise le passage de plus de spins à travers une interface. La mise à la résonance d’une couche ferromagnétique engendre une dynamique d’aimantation hors équilibre et génère par conséquent ... Lire la suite »
04 février 2016
Contact : Ursula EBELS
La plupart des applications des dispositifs spintroniques se trouvent dans le domaine du stockage de l’information, des mémoires magnétiques ou de la logique. Ils peuvent aussi apporter des solutions intéressantes pour la réalisation des composants microondes tels ... Lire la suite »
30 novembre 2015
Des objets ayant des compositions identiques et sujets au même courant électrique montrent des retournements différents de leur aimantation en raison de leurs géométries différentes. La magie de l’art du pliage du papier réside dans le fait ... Lire la suite »
29 octobre 2015
Contact : Helene JOISTEN
Une récente approche visant à la destruction de cellules cancéreuses a été proposée, basée sur le déclenchement de la mort spontanée des cellules cancéreuses, grâce à la vibration mécanique de nanoparticules ... Lire la suite »
29 octobre 2015
Contact : Ricardo Sousa
Dans l’écriture des Mémoires Magnétiques à Accès Aléatoire à écriture assistée thermiquement (TAS-MRAM), le couple de transfert de spin obtenu par une impulsion de tension peut être utilisé pour faciliter ... Lire la suite »
29 octobre 2015
Contact : Bernard DIENY
Grand Prix thématique 2015 Adrien Constantin de Magny décerné à Bernard DIENY par l’Académie des Sciences Bernard Dieny de l’INAC/SPINTEC a reçu le grand prix thématique « Adrien Constantin de Magny » pour ses travaux ... Lire la suite »
23 juin 2015
Contact : Mair Chshiev
Abstract The interfacial structures between magnetic/non-magnetic films play a crucial rule in spintronic devices. In particular, Tunneling magneto-resistance (TMR) is extremely sensitive to the band structure of ferromagnet/insulator interfaces.  In this sense, a number of experimental and ... Lire la suite »
22 avril 2015
Une des possibilités pour répondre aux nouvelles contraintes de la microélectronique et des technologies avancées est l’utilisation de Jonctions Tunnel Magnétiques (JTM), apportant principalement de la non-volatilité aux circuits ... Lire la suite »
22 avril 2015
Maximiser le rapport Hex/HC (Hex étant le champ d’échange et HC le champ coercitif) et la stabilité thermique sont des éléments clés pour améliorer les performances des Mémoires Magnétiques à Accès Aléatoire ... Lire la suite »
05 novembre 2014
Contact : Claire Baraduc
  Des chercheurs de Spintec ont écrit le chapitre d’ouverture d’un livre consacré aux capteurs magnétorésistifs. Ce livre, qui rassemble l’essentiel des connaissances sur ce sujet, vient de se voir décerner un prix par la ... Lire la suite »
04 novembre 2014
Contact : Vincent Baltz
En électronique de spin, les propriétés de transport électronique dépendant du spin des matériaux ferromagnétiques (Fs) sont au cœur du fonctionnement des dispositifs. Les matériaux antiferromagnétiques (AFs) eux ne sont ... Lire la suite »
29 septembre 2014
Contact : Ricardo SOUSA
Afin d'améliorer la magnétorésistance tunnel (TMR) de jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire les épaisseurs des électrodes des deux côtés de la barrière tunnel MgO doivent être optimisées. En ... Lire la suite »
18 janvier 2014
Contact : Laurent VILA
La spintronique, ou électronique de spin, se base sur l’utilisation de matériaux ferromagnétiques pour générer et manipuler une information basé sur le spin électronique plutôt que sur sa charge. Dans ce travail, nous démontrons ... Lire la suite »
20 novembre 2013
Les nanoparticules magnétiques sont de plus en plus étudiées dans de nombreuses applications biologiques et biomédicales, grâce à la possibilité qu’elles offrent d’exercer des actions mécaniques sur des espèces biologiques ... Lire la suite »
09 octobre 2013
Contact : Vincent Baltz
Un grand nombre d’applications de l’électronique de spin utilisent une brique de base ferromagnétique(F)/antiferromagnétique(AF) dont le but est de définir une direction de référence pour le spin des électrons. Cette ... Lire la suite »
09 octobre 2013
Contact : Léa Cuchet
Généralement, les jonctions tunnel magnétiques se composent d’électrodes en alliage de cobalt, fer et bore (CoFeB) et d’une barrière en oxyde de magnésium (MgO). Pour induire une anisotropie perpendiculaire, des multicouches à base de ... Lire la suite »
17 juillet 2013
Spintec et Crocus Technology ont dévoilé les premiers résultats d’un démonstrateur de mémoire magnétique dotée d’une fonction logique. Protégée par un brevet, cette  association est particulièrement ... Lire la suite »

 

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