05 février 2018
This study discuss the shift observed in spintronics from the current-perpendicular-to-plane geometry towards lateral geometries, illustrating the new opportunities offered by this configuration.
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19 janvier 2018
Les jonctions tunnel magnétiques sont les éléments de base de nouvelles mémoires magnétiques appelées MRAM (Magnetic Random Access memory).
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08 novembre 2017
La robustesse des circuits intégrés dans les environnements difficiles tels que le spatial est un challenge important pour les circuits intégrés et systèmes embarqués.
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29 septembre 2017
Contact : Hélène Bea
Les skyrmions magnétiques nanométriques sont de bons candidats pour transporter de l’information pour des applications spintroniques de type mémoire ou logique.
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22 août 2017
Jean-Pierre Nozières, Spintec researcher in magnetic devices, is one of the winners of the Innovation Medal of the CNRS “cuvee” 2017 at 54 years old.
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21 juillet 2017
Contact : Matthieu Jamet
Le germanium apparaît comme un matériau très prometteur pour les applications en spintronique.
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17 juillet 2017
Contact : Mair CHSHIEV
Advancing spintronic devices requires using novel 2D materials including graphene with featured properties. In particular, a significant effort has been focused on injecting spins and inducing magnetism in graphene giving rise to emerging field of graphene spintronics.
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23 mai 2017
  Nous avons développé un nouveau type de nanopinces ou « nanomâchoires » magnétiques déposées sur des plaques de silicium, par une approche top-down utilisant les techniques de la microélectronique.
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03 mai 2017
Contact : Gilles Gaudin
Nous avons développé un modèle analytique décrivant les ondes de spin dans des guides d’onde microscopiques en présence de l’interaction interfaciale Dzyaloshinskii-Moriya.
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22 février 2017
Contact : Mathieu Jamet
Nous avons fabriqué à grande échelle et caractérisé le dichalcogénure (TMD) MoSe2, un matériau lamellaire et semi-conducteur ayant un fort potentiel pour les applications en électronique, vallée-tronique et opto-électronique.
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05 janvier 2017
Contact : Bernard Dieny
Les techniques de cartographie de champs magnétiques font l’objet d’un développement continu car elles sont nécessaires à la mesure des composantes spatiales de champs magnétiques locaux, que ce soit en industrie ou en recherche fondamentale.
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06 octobre 2016
Contact : Olivier Klein
La magnonique est un nouvel axe de recherche visant à exploiter le transport purement du spin dans les matériaux magnétiques.
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27 septembre 2016
Contact : Laurent Vila
A l’interface entre le titanate de strontium et l’aluminate de lanthane se forme un système d’électrons bidimensionnel.
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04 juillet 2016
Contact : Olivier Boulle
Ces textures magnétiques nanométriques ont été observées à températures ambiantedans des matériaux compatibles avec l’industrie électronique par O. Boulle et ses collègues de Spintec à Grenoble.
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01 mai 2016
Contact : Laurent Vila
Des structures latérales pour la spintronique ont été réalisées avec un alliage de CoFe comme matériau ferromagnétique, en remplacement de l’alliage NiFe  utilisé usuellement. L’utilisation de ce matériau permet d’obtenir des signaux un ordre de grandeur plus élevés.
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23 mars 2016
Contact : Vincent Baltz
Un ordre magnétique fluctuant autorise le passage de plus de spins à travers une interface.
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04 février 2016
Contact : Ursula EBELS
La plupart des applications des dispositifs spintroniques se trouvent dans le domaine du stockage de l’information, des mémoires magnétiques ou de la logique.
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30 novembre 2015
Des objets ayant des compositions identiques et sujets au même courant électrique montrent des retournements différents de leur aimantation en raison de leurs géométries différentes.
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23 juin 2015
Contact : Mair Chshiev
Abstract The interfacial structures between magnetic/non-magnetic films play a crucial rule in spintronic devices. In particular, Tunneling magneto-resistance (TMR) is extremely sensitive to the band structure of ferromagnet/insulator interfaces.
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05 novembre 2014
Contact : Claire Baraduc
  Des chercheurs de Spintec ont écrit le chapitre d’ouverture d’un livre consacré aux capteurs magnétorésistifs.
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04 novembre 2014
Contact : Vincent Baltz
En électronique de spin, les propriétés de transport électronique dépendant du spin des matériaux ferromagnétiques (Fs) sont au cœur du fonctionnement des dispositifs.
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29 septembre 2014
Contact : Ricardo SOUSA
Afin d'améliorer la magnétorésistance tunnel (TMR) de jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire les épaisseurs des électrodes des deux côtés de la barrière tunnel MgO doivent être optimisées.
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18 janvier 2014
Contact : Laurent VILA
La spintronique, ou électronique de spin, se base sur l’utilisation de matériaux ferromagnétiques pour générer et manipuler une information basé sur le spin électronique plutôt que sur sa charge.
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