22 août 2017
Jean-Pierre Nozières, Spintec researcher in magnetic devices, is one of the winners of the Innovation Medal of the CNRS “cuvee” 2017 at 54 years old. Since 2011, this distinction has been awarded for outstanding scientific research leading to a remarkable innovation, whether in ... Lire la suite »
17 juillet 2017
Contact : Mair CHSHIEV
Advancing spintronic devices requires using novel 2D materials including graphene with featured properties. In particular, a significant effort has been focused on injecting spins and inducing magnetism in graphene giving rise to emerging field of graphene spintronics. It is demonstrated that ... Lire la suite »
23 mai 2017
  Nous avons développé un nouveau type de nanopinces ou « nanomâchoires » magnétiques déposées sur des plaques de silicium, par une approche top-down utilisant les techniques de la microélectronique.   La manipulation ... Lire la suite »
03 mai 2017
Contact : Gilles Gaudin
Nous avons développé un modèle analytique décrivant les ondes de spin dans des guides d’onde microscopiques en présence de l’interaction interfaciale Dzyaloshinskii-Moriya. En comparant les résultats de ce modèle avec ceux de simulations ... Lire la suite »
05 janvier 2017
Contact : Bernard Dieny
Les techniques de cartographie de champs magnétiques font l’objet d’un développement continu car elles sont nécessaires à la mesure des composantes spatiales de champs magnétiques locaux, que ce soit en industrie ou en recherche fondamentale. Les ... Lire la suite »
25 octobre 2016
Contact : Bernard Dieny
L’écriture des mémoires magnétiques conventionnelles à base de jonctions tunnel magnétiques (STT-MRAM) est intrinsèquement stochastique : il faut attendre une fluctuation thermique importante pour déclencher la commutation ... Lire la suite »
23 mars 2016
Contact : Vincent Baltz
Un ordre magnétique fluctuant autorise le passage de plus de spins à travers une interface. La mise à la résonance d’une couche ferromagnétique engendre une dynamique d’aimantation hors équilibre et génère par conséquent ... Lire la suite »
04 février 2016
Contact : Ursula EBELS
La plupart des applications des dispositifs spintroniques se trouvent dans le domaine du stockage de l’information, des mémoires magnétiques ou de la logique. Ils peuvent aussi apporter des solutions intéressantes pour la réalisation des composants microondes tels ... Lire la suite »
30 novembre 2015
Des objets ayant des compositions identiques et sujets au même courant électrique montrent des retournements différents de leur aimantation en raison de leurs géométries différentes. La magie de l’art du pliage du papier réside dans le fait ... Lire la suite »
29 octobre 2015
Contact : Ricardo Sousa
Dans l’écriture des Mémoires Magnétiques à Accès Aléatoire à écriture assistée thermiquement (TAS-MRAM), le couple de transfert de spin obtenu par une impulsion de tension peut être utilisé pour faciliter ... Lire la suite »
29 octobre 2015
Contact : Helene JOISTEN
Une récente approche visant à la destruction de cellules cancéreuses a été proposée, basée sur le déclenchement de la mort spontanée des cellules cancéreuses, grâce à la vibration mécanique de nanoparticules ... Lire la suite »
22 avril 2015
Maximiser le rapport Hex/HC (Hex étant le champ d’échange et HC le champ coercitif) et la stabilité thermique sont des éléments clés pour améliorer les performances des Mémoires Magnétiques à Accès Aléatoire ... Lire la suite »
22 avril 2015
Une des possibilités pour répondre aux nouvelles contraintes de la microélectronique et des technologies avancées est l’utilisation de Jonctions Tunnel Magnétiques (JTM), apportant principalement de la non-volatilité aux circuits ... Lire la suite »
05 novembre 2014
Contact : Claire Baraduc
  Des chercheurs de Spintec ont écrit le chapitre d’ouverture d’un livre consacré aux capteurs magnétorésistifs. Ce livre, qui rassemble l’essentiel des connaissances sur ce sujet, vient de se voir décerner un prix par la ... Lire la suite »
04 novembre 2014
Contact : Vincent Baltz
En électronique de spin, les propriétés de transport électronique dépendant du spin des matériaux ferromagnétiques (Fs) sont au cœur du fonctionnement des dispositifs. Les matériaux antiferromagnétiques (AFs) eux ne sont ... Lire la suite »
29 septembre 2014
Contact : Ricardo SOUSA
Afin d'améliorer la magnétorésistance tunnel (TMR) de jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire les épaisseurs des électrodes des deux côtés de la barrière tunnel MgO doivent être optimisées. En ... Lire la suite »
09 octobre 2013
Contact : Léa Cuchet
Généralement, les jonctions tunnel magnétiques se composent d’électrodes en alliage de cobalt, fer et bore (CoFeB) et d’une barrière en oxyde de magnésium (MgO). Pour induire une anisotropie perpendiculaire, des multicouches à base de ... Lire la suite »
09 octobre 2013
Contact : Vincent Baltz
Un grand nombre d’applications de l’électronique de spin utilisent une brique de base ferromagnétique(F)/antiferromagnétique(AF) dont le but est de définir une direction de référence pour le spin des électrons. Cette ... Lire la suite »
17 juillet 2013
Spintec et Crocus Technology ont dévoilé les premiers résultats d’un démonstrateur de mémoire magnétique dotée d’une fonction logique. Protégée par un brevet, cette  association est particulièrement ... Lire la suite »
29 mai 2013
Contact : Ursula Ebels
The topical group “Magnetism and its applications” (GMAG) from the American Physical Society (APS) presents an award to three PhD students every year during the APS March meeting for their outstanding dissertation, highlighting the quality and independence of the student’s ... Lire la suite »
28 avril 2012
Spintec Laboratory, in collaboration with the Circuits Multi-Projects service, the Laboratory of Informatics, Robotics and Microelectronics of Montpellier and the Fundamental Electronics Institute, has developed a set of software tools to evaluate the gains that can be expected by introducing ... Lire la suite »
 

 

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