Mémoire magnétique à écriture assistée thermiquement à base de FeMn
Erwan GAPIHAN
DSM/INAC/SPINTEC
Mardi 11/01/2011, 14h00
Bât. A, Salle de conférences, 3ème étage, CNRS

Cette thèse s’inscrit dans la thématique des TA-MRAM, nouvelles mémoires non volatiles qui utilisent des impulsions de courant pour chauffer et ainsi permettre le renversement de l’aimantation d’une couche ferromagnétique. Un premier but de ce travail a été de comprendre les mécanismes d’écriture (chauffage) des cellules TA-MRAM. Mesures électriques et simulations thermiques sont alors comparées. De manière générale les TA-MRAM associent deux couches ferromagnétiques dont les directions relatives des aimantations sont stabilisées par des couches antiferromagnétiques. Une action développement matériaux a été menée dans la conception de jonctions tunnel magnétiques utilisant l’alliage FeMn dans la couche de stockage. Nous avons alors cherché à optimiser les couches ferromagnétiques et antiferromagnétiques  de la couche de stockage afin de minimiser le champ magnétique nécessaire au renversement de l’aimantation de ces couches et donc de diminuer la consommation d’énergie. Enfin ce manuscrit présente une partie gravure par faisceau d’ion (IBE) de points mémoires magnétiques qui donnent les clefs de fabrication des mémoires MRAM.

Contact : Michel BENINI

 

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