Nanofils de GaN dopés de type n et de type p : de la croissance aux propriétés électriques
Zhihua FANG
PHELIQS/NPSC
Mercredi 15/03/2017, 14h00-15h00
Bât. A, Salle de conférences, 3ème étage, CNRS
Contact : Michel BENINI

 

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