Les sujets de thèses

Dernière mise à jour : 17-10-2017

INAC

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• Electronique et microélectronique - Optoélectronique

 

Conception de circuit intégré synchrone hybride CMOS/MRAM sur technologie avancée robuste aux radiations spatiales

SL-DRF-18-0178

Domaine de recherche : Electronique et microélectronique - Optoélectronique
Laboratoire d'accueil :

Spintronique et technologie des composants (SPINTEC)

Laboratoire Spintec (SPINTEC)

Grenoble

Contact :

Gregory DI PENDINA

Lionel TORRES

Date souhaitée pour le début de la thèse : 01-10-2018

Contact :

Gregory DI PENDINA

CEA - DSM/INAC/SPINTEC/SPINTEC

0438784746

Directeur de thèse :

Lionel TORRES

Université de Montpellier - LIRMM

04 67 41 85 67

Page perso : http://inac.cea.fr/Pisp/gregory.dipendina/index.html

Labo : http://www.spintec.fr/

A ce jour, plusieurs méthodes permettent de concevoir des circuits microélectroniques adaptés à des applications spatiales, répondant aux contraintes d’immunité aux radiations, que ce soit en termes de technique, de conception ou de procédé de fabrication. Après une expérience forte et enrichissante de 3 ans dans la cadre d'une thèse menée en collaboration entre le CNES, le LIRMM et le CEA/Spintec, de 2014 à 2017, nous souhaitons étendre et consolider ces travaux collaboratif. Nous aimerions proposer de nouvelles innovations pour la conception de circuits intégrés embarquant des technologies émergentes non volatiles, notamment les composants spintronique du type MRAM (mémoire Magnétique), en vue d'applications dans des environnements critiques, et plus spécifiquement le spatiale. En effet plusieurs études ont été faites ou sont en cours sur les mémoires MRAM en tant que tel. En revanche, nous proposons dans ce sujet de nous intéresser à l'intégration de jonctions tunnel magnétiques (JTM), élément de base des mémoires MRAM, dans la logique de calcul. Ces JTMs peuvent être intégrées aussi bien dans les parties séquentielles telles que les latchs et les bascules, mais également dans les parties combinatoires telles que les cellules de type NAND, NOR, etc. Il s’agit ici de proposer une logique hybride CMOS/MRAM pour rendre les circuits robustes vis-à-vis des environnements spatiaux. Ce sujet adresse donc la partie calcul de circuits numériques complexes tels que des micro-processeurs par exemple. Par ailleurs, la technologie STT-MRAM (Spin Transfer Torque), qui est à ce jour la technologie MRAM la plus avancée et qui commence à être industrialisée, sera utilisée pour ces travaux d’innovation. Cependant, la technologie SOT-MRAM (Spin Orbit Torque), qui est la technologie MRAM la plus émergente et qui a déjà démontré d’intéressantes propriétés pour les circuits hybrides de la microélectronique et notamment en termes de robustesse face aux particules, sera également considérée dans cette étude afin d’apporter une étude la plus complète possible, ainsi que la solution la plus efficace. Ces travaux se veulent prospectifs et seraient menés sur des technologies avancées. L'objectif est de fabriquer un circuit intégré complet et de réaliser des essais radiations avec le CNES (sous ions lourds et/ou dose) pour valider la robustesse pour les applications spatiales « de cette logique combinatoire et séquentielle nouvelle basée sur la technologie MRAM ». Cette thèse serait principalement encadrée par l’équipe « conception de circuits intégrés non-volatils » du laboratoire CEA -Spintec de Grenoble et dirigée par le LIRMM.

 

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