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Dernière mise à jour : 22-08-2017

INAC

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• Matériaux et applications

 

Mémoires à double jonction tunnel magnétique pour l’industrie automobile

SL-DRF-17-0488

Domaine de recherche : Matériaux et applications
Laboratoire d'accueil :

Spintronique et technologie des composants (SPINTEC)

Laboratoire Spintec (SPINTEC)

Grenoble

Contact :

Etienne NOWAK

Ricardo SOUSA

Date souhaitée pour le début de la thèse : 01-10-2017

Contact :

Etienne NOWAK

CEA - DRT/DCOS//LCM

04 38 78 09 88

Directeur de thèse :

Ricardo SOUSA

CEA - DRF/INAC/SPINTEC/SPINTEC

0438784895

Labo : www.spintec.fr

L'industrie de la microélectronique s'intéresse de plus en plus à un nouveau type de mémoire non volatile magnétique appelée STT-MRAM. Dans ces mémoires, les éléments de stockage sont des jonctions tunnel magnétiques qui sont constituées de deux couches ferromagnétiques séparées par une fine barrière d'oxyde tunnel (MgO). Elles sont sur le point d'être introduites dans les produits pour l'électronique grand public. Il est envisagé qu'elles puissent jouer un rôle très important dans l'industrie et en particulier pour l’automobile, mais pour cette dernière application, les spécifications sont beaucoup plus strictes en termes de fiabilité et de températures de fonctionnement (jusqu'à 150°C au lieu de 80°C pour l'électronique grand public).

Dans cette thèse nous proposons d'explorer plusieurs approches permettant d'améliorer performances de ces mémoires en termes de vitesse de commutation, de consommation d'énergie et de plage de fonctionnement.

Les meilleures solutions seront transférées au LETI pour évaluation de la rétention des plots individuels et matrices 4kbit avec intégration CMOS.

 

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