Commutation précessionelle de mémoire magnétique avec polariseur à anisotropie perpendiculaire
Maria MARINS DE CASTRO SOUZA
INAC/SPINTEC
Tue, Sep. 27th 2011, 14:00
Bât. A, Salle de conférences, 3ème étage, CNRS

Cette thèse est consacrée à l'intégration d'un polariseur à anisotropie perpendiculaire dans une jonction tunnel magnétique aux aimantations planaires. Par effet du transfert de spin venant du polariseur perpendiculaire, il est possible d'induire des oscillations de l'aimantation de la couche libre. Ces oscillations ultra-rapides de l'ordre de la picoseconde, peuvent être utilisées comme mode d'écriture dans une cellule magnétique MRAM. Ce type d'écriture est appelée écriture précessionnelle. Nous avons optimisé des structures fonctionnelles tout en gardant des bonnes qualités électriques et magnétiques. Les tests d'écriture sur des nanopiliers ont permis de valider le concept d'écriture précessionnelle ouvrant ainsi une porte à la compréhension des différents phénomènes liés au transport tunnel et à la dynamique de l'aimantation.

 

This thesis is dedicated to the integration of a polarizer with out-of-plane anisotropy in a classical planar magnetic tunnel junction. The spin transfer torque from the perpendicular polarizer induces a large angle precessional motion of the free layer magnetization. These ultrafast oscillations below the nanosecond-scale can be used as a writing technique, also called precessional switching in MRAM cells. We optimized a functional memory device with both good electrical and magnetic properties. The concept of processional writing was validated by electric tests on patterned nanopillar structures opening a way to investigate different phenomena regarding both tunnelling transport and magnetization dynamics.

Contact : Michel BENINI

 

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