Simulation et caractérisation électrique des matériaux, procédés et transistors MOSFET
Fabien BOULANGER
CEA-LETI
Thu, Jun. 18th 2009, 13:00
Amphi M001, PHELMA Minatec
A MINATEC, en complément de la plateforme de nanocaractérisation, le Laboratoire de Simulation et Caractérisation Electrique du LETI a pour vocation la simulation numérique, la modélisation physique et la caractérisation électrique des transistors MOSFET nanométriques. Son objectif est d’apporter une expertise pour la compréhension et la maîtrise du transistor du futur, dans le cadre de la recherche technologique. Nous illustrerons certains des défis relevés : la simulation ab-initio des matériaux oxydes, la simulation du transport électronique dans les transistors ultimes, la simulation et le couplage avec la conception des dispositifs MOS empilés ou co-intégrés, la caractérisation électrique des empilements de grille de contrôle des transistors pour modéliser précisément les défauts, les interfaces et les instabilités. Les liens avec les nanosciences et les autres nanotechnologies seront discutés.
Contact : Jerome PLANES